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J-GLOBAL ID：201702241118756122   整理番号：17A1725751

ゲートworkfunctlon,弁体の過剰長さと弁体の過剰誘電率を用いた再構成可能なFETの性能向上【Powered by NICT】

Performance enhancement of reconfigurable FET using gate workfunctlon, inter-gate length and inter-gate dielectric permittivity

著者 (3件)： Sadagopan P. S. S. K. P. (Department of ECE, SSN College of Engineering, Kalavakkam, Chennai, India) ,  Vaithianathan V. (Department of ECE, SSN College of Engineering, Kalavakkam, Chennai, India) ,  Srinivasan R. (Department of IT, SSN College of Engineering, Kalavakkam, Chennai, India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICSCN  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,TCADシミュレーションによりゲート仕事関数,統合長さと弁体の過剰誘電率を用いた再構成可能な電界効果トランジスタ(遠隔野外電磁法(RFET))の高性能化を解析した。パラメータ,オン電流,オフ電流とI_ON/I_OFF比は飽和I_D V_G特性から抽出した。統合長さが変化した場合,強化されたI_ON/I_OFF比は従来の遠隔野外電磁法(RFET)と比較して達成された。間ゲート誘電率変動も比較的良好なI_ON/I_OFF比を提供する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *誘電率 ,  シミュレーション ,  FET【トランジスタ】 ,  仕事関数 ,  電流
準シソーラス用語： オフ電流 ,  TCAD ,  *再構成可能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  弁体 ,  誘電率 ,  再構成 ,  FET ,  性能向上