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J-GLOBAL ID：201702241282300107   整理番号：17A0697830

高品質硬磁性膜の製造のためのガス流スパッタリング【Powered by NICT】

Gas flow sputtering for manufacture of high quality hard magnetic films

著者 (5件)： Bandorf R. (Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Germany) ,  Groninger A. (Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Germany) ,  Ortner K. (Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Germany) ,  Gerdes H. (Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Germany) ,  Braeuer G. (Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Films IST, Bienroder Weg 54 E, 38108 Braunschweig, Germany)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 314  ページ： 92-96  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性材料のスパッタ蒸着により,いくつかの課題を提供する。軟磁性材料の場合,通常スパッタリングカソードの薄いターゲットと強い磁気アレイは効果的なマグネトロンスパッタリングに使用されている。硬磁性材料の場合には,状況は異なる。磁力線はターゲット中の閉じているとマグネトロンダイオードスパッタリングシステムとして効果的に作用する。ホロー陰極過程は全てのイオン化を増強しないで磁石を必要とする。,硬磁性膜の高速堆積が可能になる。ガスフロースパッタリング(GFS)の本論文の結果では,ホロー陰極過程の修飾,硬磁性CoSm膜の蒸着のためのを示した。特に厚膜(10μm以上)の蒸着のためのガス流スパッタリングは経済的プロセスである。GFSを用いた時間当たり数10μmの高い動的堆積速度が達成可能である。磁性保磁力と残留磁化に及ぼす堆積パラメータの影響を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ホロー陰極 ,  *スパッタリング ,  堆積速度 ,  マグネトロンスパッタリング ,  磁石 ,  磁性材料 ,  *磁性 ,  硬磁性材料 ,  高速度 ,  軟磁性材料 ,  保磁力 ,  *気体流 ,  厚膜 ,  残留磁化
準シソーラス用語： *硬磁性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 硬磁性膜 ,  ガス流スパッタリング ,  GFS ,  CoSm ,  Coercivity

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  プラズマ装置  (BJ02082I) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高品質 ,  硬磁性 ,  ガス流 ,  スパッタリング