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J-GLOBAL ID：201702241351892481   整理番号：17A0482475

埋込SiO₂/SiC界面の電子バンド構造の軟X線ARPESによる研究

Electronic band structure of the buried SiO₂/SiC interface investigated by soft x-ray ARPES

著者 (9件)： Woerle J. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Bisti F. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Husanu M.-A. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Strocov V. N. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Schneider C. W. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Sigg H. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Gobrecht J. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland) ,  Grossner U. (Advanced Power Semiconductor Laboratory, ETH Zurich, Physikstrasse 3, 8092 Zurich, Switzerland) ,  Camarda M. (Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen, Switzerland)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 13  ページ： 132101-132101-5  発行年： 2017年03月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *二酸化ケイ素 ,  半導体材料 ,  *バンド構造 ,  電子 ,  角度分解分光法 ,  光電子分光法 ,  軟X線 ,  界面 ,  表面準位
準シソーラス用語： ARPES ,  *電子バンド構造

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 埋込 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  電子バンド構造 ,  軟X線 ,  ARPES ,  研究