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J-GLOBAL ID：201702241422718552   整理番号：17A0887438

Czochralskiシリコン中の酸素析出物と転位の成長【Powered by NICT】

Growth of Oxygen Precipitates and Dislocations in Czochralski Silicon

著者 (5件)： Rougieux Fiacre E. (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Nguyen Hieu T. (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Macdonald D. H. (Research School of Engineering, College of Engineering and Computer Science, Australian National University, Canberra, ACT, Australia) ,  Mitchell Bernhard (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, University of New South Wales, Sydney, NSW, Australia) ,  Falster Robert (SunEdison Semiconductor, Merano, Italy)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 3  ページ： 735-740  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア再結合に及ぼす酸素析出物と転位の影響をCzochralski法で成長させたシリコンインゴットから垂直に切った厚いシリコンスラブ上で研究した。光ルミネセンスイメージング,光ルミネセンス分光法,およびFourier変換赤外分光法の組み合わせを用いて,我々はそれらの再結合活性に及ぼす予備アニールの影響を調べた。析出物成長中の空孔濃度は酸素析出物の再結合活性に影響を及ぼすことを示した。最後に,析出物と転位成長に対する非平衡点欠陥濃度の影響を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Czochralski法 ,  焼なまし ,  *酸素 ,  光ルミネセンス ,  非平衡状態 ,  *析出物 ,  画像処理 ,  点欠陥 ,  キャリア再結合

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  酸素 ,  析出物 ,  転位 ,  成長