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J-GLOBAL ID:201702241461942987   整理番号:17A1604146

鉛フリーBi0.5(Na0.80K0.20)0.5TiO3(BNKT)膜の構造と強誘電特性に及ぼすZrドーピングの影響

Effect of Zr Doping on Structural and Ferroelectric Properties of Lead-Free Bi0.5(Na0.80K0.20)0.5TiO3 Films
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資料名:
巻: 46  号: 10  ページ: 5814-5819  発行年: 2017年10月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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多くの分野での応用により,強誘電体材料の市場は2014年に12,290百万米ドルとなった。従来のPb(Zr,Ti)03(PZT)強誘電体材料は,その優れた強誘電性および圧電特性のために,いくつかの重要産業において支配的であった。本研究では,0?0.05の範囲のZr4+ドーピング濃度xを有する,鉛フリーBNKT-xZr強誘電体膜を,化学溶液堆積によってPt/Ti/Si02/Si基板上に首尾よく合成した。XRDパターンは,少量のパイロクロア相を有するBNKT-xZr膜において,菱面体晶および正方晶系の対称性を示した。BNKT-xZr膜の結晶構造は,Zr4+置換基濃度が0から0.02に増加した後,MPBの菱面体対称側にシフトした。Zr修飾BNKT膜の強誘電特性は著しく改善された。
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分類 (3件):
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酸化物薄膜  ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  ,  圧電気,焦電気,エレクトレット 
タイトルに関連する用語 (4件):
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