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J-GLOBAL ID：201702241467760136   整理番号：17A0549986

界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN MIS HEMTの劣化過程の2次元評価

著者 (4件)： 村瀬真悟 (福井大 大学院) ,  渡村遥 (東北大) ,  末光哲也 (東北大) ,  塩島謙次 (福井大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-P4-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電子顕微鏡観察 ,  光電子放出 ,  *界面 ,  *半導体金属接合 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *MIS構造 ,  *HEMT ,  *劣化 ,  二次元 ,  *電流電圧特性 ,  *ゲート【半導体】 ,  *電極 ,  光電流 ,  光子 ,  数
準シソーラス用語： 界面顕微光応答法 ,  *AlGaN/GaN ,  電圧ストレス ,  ゲート電極 ,  光電子収率 ,  光子数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 界面顕微光応答法 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS ,  HEMT ,  劣化過程 ,  2次元 ,  評価