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J-GLOBAL ID：201702241536178108   整理番号：17A1550647

HVE SnS光吸収材膜上の真空および窒素アニーリングの影響【Powered by NICT】

Impact of vacuum and nitrogen annealing on HVE SnS photoabsorber films

著者 (8件)： Naidu Revathi (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Loorits Mihkel (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Kaerber Erki (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Volobujeva Olga (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Raudoja Jaan (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Maticiuc Natalia (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Bereznev Sergei (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia) ,  Mellikov Enn (Department of Materials and Environmental Technology, Tallinn University of Technology, Ehitajate tee 5, Tallinn 19086, Estonia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 71  ページ： 252-257  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 世界中の研究者は,エネルギー生産における太陽光発電のより広い利用を可能にする薄膜太陽電池での使用のための新しい地球に豊富な安価な吸収体材料に焦点を当てた。SnSは地球に豊富な元素(Sn, S)からなるこのような有望な吸収体材料の一つである。窒素の比較的高い圧力と真空と窒素雰囲気中での高真空蒸着(HVE)SnS薄膜の焼なましの影響を調べた。厚さ500nmのSnS薄膜を300°Cの基板温度でHVEによるガラスの表面上に堆積した。デポジットしたSnS薄膜を500 2000mbarの範囲で変化することを環境(N_2)圧に関して真空中並びに窒素中1時間500°Cと550°Cでアニールした。アニーリングプロセスとその変化前後のSnS膜の結晶品質,結晶構造,元素と相組成,および電気的特性を解析した。著者らの結果は,窒素のような,加圧された不活性雰囲気の使用は,SnS薄膜の電気的性質と同様に結晶品質を改善することを示した。アニーリング条件(環境,アニーリング温度と周囲圧力の型)の関数としてのSnS薄膜の微細構造特性の結晶と修飾の促進された成長を詳細に検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *焼なまし ,  結晶構造 ,  微細構造 ,  ガラス ,  相組成 ,  真空蒸着 ,  太陽光発電 ,  吸収体 ,  *窒素 ,  電気的性質 ,  薄膜 ,  *スズ
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  薄膜太陽電池 ,  *光吸収材 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SnS薄膜 ,  アニーリング ,  N_2常圧 ,  微細構造 ,  電気的性質

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： SNS ,  光吸収材 ,  真空 ,  窒素 ,  アニーリング