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J-GLOBAL ID：201702241605666682   整理番号：17A0965979

STTRAMの保持試験のための新しい磁気バーンイン【Powered by NICT】

Novel magnetic burn-in for retention testing of STTRAM

著者 (3件)： Khan Mohammad Nasim Imtiaz (School of Electrical Engineering and Computer Science, Pennsylvania State University, University Park, PA-16801, USA) ,  Iyengar Anirudh S (School of Electrical Engineering and Computer Science, Pennsylvania State University, University Park, PA-16801, USA) ,  Ghosh Swaroop (School of Electrical Engineering and Computer Science, Pennsylvania State University, University Park, PA-16801, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DATE  ページ： 666-669  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン移動トルクRAM(STTRAM)はビットセル漏れの完全な除去のために,かなりの注意を集めているという新たな不揮発性メモリ(NVM)技術である。しかし,試験中のアレイの保持時間の特性化に新たな課題をもたらした。静的(プロセス変動(PV))および動的(電圧,温度変動)変動下での保持時間の顕著なシフトがこの問題を推進する。本論文では,短い試験時間でSTTRAM保持試験を可能にするため,既存試験流における最小変化を実行できる新しい磁気バーンイン(MBI)試験を提案した。磁気バーンインも保持とテスト時間をさらに圧縮のための熱バーンイン(MBI BI)と組み合わせた。シミュレーション結果は220Oe(25Cで)とMBIは3.71×10~13Xによる試験時間を改善できる125Cで220OeとMBI BIは1.97×10~14Xによる試験時間を改善できるが示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  電圧 ,  *磁気 ,  保持時間 ,  温度変動 ,  キャラクタリゼーション ,  シミュレーション
準シソーラス用語： プロセス変動 ,  スピントルク ,  *バーンイン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 試験 ,  磁気 ,  バーンイン