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J-GLOBAL ID：201702241645816659   整理番号：17A0619533

光エレクトロニクスの玉手箱 第52章 忘れないで:光ディスクメモリー(その3)

著者 (2件)： 伊賀健一 ,  波多腰玄一
資料名： O plus E  (O plus E)
号： 451  ページ： 584-593  発行年： 2017年05月25日 
JST資料番号： Z0994A  ISSN： 0911-5943  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光ディスク用半導体レーザの要件,CD,DVD用の半導体レーザディバイスの設計上の課題,及びそれを克服する技術開発の経緯について解説した。光ディスク用半導体レーザの要件は,集光性上,できるだけ短波長で単一横モードであること及び非点隔差が小さいこと,動作安定上,戻り光による雑音が小さいこと,倍速転送・書き込みのために出力が大きいこと,普及のために大量生産可能なことである。これらに対応して光ディスクの開発と関連事項についてまとめた。半導体レーザの近赤外,赤,青色への短波長化が,それぞれCD,DVD,BDの歴史と重なる。なるべく短波長でかつ信頼性が担保されるディジタル光ディスクとして最初に登場したCD用の780nmレーザの企画化は,フィリップ社とソニーで行われ,後に装置とディスクの仕様は1980年に公開されたが,大量生産に間に合わず,シャープが1982年にCDを発売した。650nm帯可視光赤色半導体レーザに用いられるInGaAlP系材料は従来の液相成長による結晶成長が困難で,この材料開発に並行してMOCVD技術が大きく進展した。

シソーラス用語： *光ディスク ,  光学記録 ,  *光学メモリ ,  *半導体レーザ ,  横モード ,  集束 ,  コンパクトディスク ,  DVD【ディスク】 ,  可視レーザ ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  リン化合物 ,  MOCVD
準シソーラス用語： 光ディスクメモリ ,  ブルーレイディスク

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体レーザ  (BD04070L) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (53件)：

• ′′InGaAlP系 0.6μm帯赤色半導体レーザ′′, 東芝レビュー, Vol.41, No.4, p.284(1986)
• 末松安晴,小林功郎:フォトニクス-光エレクトロニクスとその進展, オーム社(2007)
• T. Tsukada: ′′GaAs-Ga_1-xAl_xAs burried-heterostructure injection lasers′′, Jpn. J. App. Phys., Vol. 45, No. 11, pp. 4899-4806 (1974)
• K. Aiki, M. Nakamura, T. Kuroda and J. Umeda: ′′Channeled-substrate planar structure (AlGa)As injection lasers′′, Appl. Phys. Lett., Vol. 30, No. 12, pp. 649-650 (1977)
• H. Namizaki, H. Kan, M. Ishii and A. Ito: ′′Transverse-junction-stripe-geometry double-heterostructure lasers with very low threshold current′′, J. Appl. Phys., Vol. 45, No. 6, pp. 2785-2786 (1974)

タイトルに関連する用語 (2件)： 光エレクトロニクス ,  光ディスクメモリー