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J-GLOBAL ID：201702241691803200   整理番号：17A1140736

4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動

著者 (6件)： 石川由加里 (JFCC) ,  石川由加里 (名古屋工大 工) ,  須藤正喜 (名古屋工大 工) ,  YAO Y. (JFCC) ,  菅原義弘 (JFCC) ,  加藤正史 (名古屋工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A201-10  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  底面 ,  *転位【結晶】 ,  *電子照射 ,  *放射線効果 ,  バイポーラ集積回路 ,  陰極線ルミネセンス ,  *拡張転位 ,  電子正孔対 ,  捕獲中心 ,  積層欠陥 ,  *格子欠陥
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  基底面 ,  カソードルミネセンス

分類 (4件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4H-SiC ,  基底面転位 ,  電子線照射 ,  拡張 ,  挙動