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J-GLOBAL ID：201702241736152640   整理番号：17A1727302

ランダム離散ドーパントを考慮したDRAMセルトランジスタのTCADシミュレーションのための効果的な電界依存移動度のモデル化【Powered by NICT】

Modeling of the effective field dependent mobility for TCAD simulation of DRAM cell transistors considering the random discrete dopants

著者 (4件)： Kim Daewon (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea) ,  Yu Hoin (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea) ,  Rhee Seungman (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea) ,  Park Young June (Department of Electrical and Computer Engineering, Seoul National University, 1 Gwanak-ro, Gwanak-gu, Seoul, Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 241-244  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダムな離散的ドーパントを考慮したTCADシミュレーションのための新しい効果的な電界依存移動度モデルを提示した。ランダムな離散的ドーパントデバイスをシミュレートした場合,連続ドーピングデバイス用に設計された従来の移動度モデルは異常に高い電流をもたらし,単一ドーパントの近傍における固有領域が異常に高い移動度を持っているからである。提案した移動度モデルは特定のメッシュにおける移動度の値は,メッシュのキャリア濃度によって定義された「有効場」,ドーピング濃度に依存することを示唆した。適当なフィッティングパラメータのセットを用いて,モデルはランダムドーパントを考慮した一般的な移動度モデルとして採用できる。例として,モデルは現代DRAMセルトランジスタのソースとドレイン重なり領域内のランダムな離散的ドーパントの効果による電流変動を予測するために適用した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  *シミュレーション ,  *モデリング ,  *DRAM ,  *電場 ,  電流 ,  *ドーパント ,  電流変動 ,  *移動度
準シソーラス用語： *TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ドーパント ,  DRAM ,  セル ,  トランジスタ ,  TCAD ,  シミュレーション ,  電界 ,  移動度 ,  モデル化