抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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最近SiC-MOSFETのようなSiCパワーデバイスは,その優れた物理的性質のために次世代パワーデバイスとして劇的に改善された。非常に高いキャリア密度はその優れた特性の本質的な理由であるが,予測された性能を実現するための基本的な問題である。一つは自己加熱による定格電流密度の限界がある。もう一つは短絡事象での過渡自己加熱による破壊である。それらの熱限界下でのシリコン(Si)パワーデバイスと比較してSiC-MOSFETの性能を評価し,また予測された優れた性能を実現するための実質的な要求を明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】