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J-GLOBAL ID：201702241815961045   整理番号：17A0524726

MgZnOの自己補償誘起高電気抵抗率

Self-compensation induced high-resistivity in MgZnO

著者 (6件)： LIU Lishu (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  MEI Zengxia (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  TANG Aihua (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIANG Huili (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  DU Xiaolong (Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  DU Xiaolong (Univ. Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 6  ページ： 065102,1-7  発行年： 2017年02月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg_xZn_1-xO(0≦x≦0.39)薄膜の自己補償型欠陥を調べ,電気抵抗率に及ぼす影響を明らかにした。電気伝導率の低下はZn空格子点に関係する補償型欠陥の濃度上昇に主に起因した。Mg含有量(x)が増すと,Zn空格子点欠陥の形成エントロピーが低下した。補償比は0.23(x=0)から0.47(x=0.29)へ増加し,合金の電気伝導率を劣化させた。電子輸送はイオン化散乱機構により支配された。F_O⁺-V_Zn^2-錯体の形成はイオン化散乱中心の濃度を低下させ,従って移動度を上昇させると思われる。

シソーラス用語： *電気抵抗率 ,  マンガン化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  *空格子点 ,  電気伝導率 ,  エントロピー ,  補償 ,  錯体生成 ,  輸送現象 ,  X線回折 ,  温度依存性 ,  陰極線ルミネセンス ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： 亜鉛空格子点 ,  自己補償 ,  電子輸送 ,  *透明導電性酸化物

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己 ,  補償 ,  誘起 ,  電気抵抗率