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J-GLOBAL ID：201702241906171208   整理番号：17A0565721

微細加工で作るフィールドエミッタアレイ~新しい応用に向けて~

著者 (1件)： 長尾昌善 (産業技術総合研究所)
資料名： Journal of the Vacuum Society of Japan  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 60  号： 2  ページ： 47-54(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 1882-2398  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ゲート電極付きフィールドエミッタアレイ(FEA)の作製方法を,代表的なSi-FEAとスピント型FEAを取り上げ,その基本から近年著しく進展してきた改良について解説する。エッチバック法の発明により,エミッタ先端とゲート電極の位置関係を制御できるようになった。また,ビームを引き出すゲート電極に加えてビームを集束するために多段の集束電極を積層することが可能になった。炭化ハフニウム被覆により,電子放出とその寿命が大きく向上した。スピント型FEAの基本的な作製方法とその改良版を紹介する。アルミニウムの分離層の代わりに2層のレジストを用いることで,スピント型のFEAでも多段の集束電極の形成が可能になった。作製方法の進歩により新しい応用分野(超高感度撮像素子,医療用の低被爆X線撮影,耐放射線性能の高い撮像素子など)が開けつつある。

シソーラス用語： *電極 ,  *アレイ ,  ケイ素 ,  *エミッタ【半導体】 ,  *微細加工 ,  炭化物 ,  ハフニウム化合物 ,  *被覆 ,  電子放出 ,  *寿命 ,  光電素子 ,  X線検査 ,  *耐放射線性 ,  撮像素子
準シソーラス用語： X線撮影 ,  *ゲート電極 ,  スピント型FEA ,  *フィールドエミッタアレイ ,  医療 ,  集束電極

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  電子源,イオン源  (BD02020U)

引用文献 (58件)：

• 1) C. A. Spindt: J. Appl. Phys., 39 (1968) 3504.
• 2) R. N. Thomas, R. A. Wickstrom, D. K. Schroder and H. C. Nathanson: Solid-State Electronics, 17 (1974) 155.
• 3) K. Betsui: Technical Digest of the 4th International Vacuum Microelectronics Conference, Nagahama, 1991 (BCASJ, Osaka, 1991) p.26.
• 4) R. B. Marcus, T. S. Ravi, T. Gmitter, K. Chin, D. Liu, W. J. Orvis, D. R. Ciarlo, C. E. Hunt and J. Trujillo: Appl. Phys. Lett., 56 (1990) 236.
• 5) M. Urayama, T. Ise, Y. Maruo, A. Kishi, R. Imamoto and T. Takase: Jpn. J. Appl. Phys., 32 (1993) 6293.

タイトルに関連する用語 (3件)： 微細加工 ,  フィールドエミッタアレイ ,  応用