文献

J-GLOBAL ID：201702241948186829   整理番号：17A0323185

原子層堆積により成長させたn-ZnO/p-Siヘテロ接合ダイオードのダイオードパラメータに及ぼす成長温度の影響【Powered by NICT】

Effect of growth temperature on diode parameters of n-ZnO/p-Si heterojuction diodes grown by atomic layer deposition

著者 (5件)： Sahu V.K. (Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India) ,  Misra P. (Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India) ,  Ajimsha R.S. (Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India) ,  Das Amit K. (Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India) ,  Singh B. (Laser Material Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, MP, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 54  ページ： 1-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-ZnO/p-Siヘテロ接合は~100 250°Cの範囲で異なる成長温度で(100)p-Si基板上に原子層堆積(A LD)により成長させた。全てヘテロ接合の電流-電圧特性は,典型的な整流挙動,p-n接合ダイオードの真の特徴を示した。100°Cで成長したダイオードは200または250°Cのような比較的高い温度で成長したものに比較して有意に低い逆飽和電流(21nA)と高い整流因子(120)を持っていた。容量-電圧測定から,n-ZnO/p-SiダイオードのZnO側の空乏幅は100°Cで成長させたダイオードに対して最大であった(60nm)と250°Cの高い温度で成長させたダイオードの~3nmまで徐々に減少することが分かった。ZnO膜の電子濃度は成長温度を高くする~100から250°Cに著しく増加することが分かった。接合容量は,成長温度の増加に伴って増加する傾向を示した。成長温度をもつダイオードパラメータの変化はA LDのZnO膜と関連する成長機構におけるキャリア濃度の点で議論されてきた。低い逆飽和電流と大きな空乏幅を有するこのような低温成長させたn-ZnO/p-Siダイオードは光検出応用に適している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  光検出 ,  電圧測定 ,  *ダイオード ,  整流 ,  *酸化亜鉛 ,  キャリア密度 ,  *接合ダイオード
準シソーラス用語： 低温成長 ,  接合容量 ,  飽和電流 ,  *成長温度 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 原子層堆積 ,  ZnO薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  ダイオードパラメータ

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  ZnO ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  ダイオード ,  パラメータ ,  成長温度