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J-GLOBAL ID：201702241971157290   整理番号：17A1036352

歪みSiGeチャネルpFET NBTI信頼性に関する新しい洞察【Powered by NICT】

New insights on strained SiGe channels pFET NBTI reliability

著者 (11件)： Ndiaye C. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Biavaix A. (ISEN REER-IM2NP UMR CNRS 7334, Pl. G. Pompidou, 83000 Toulon, France) ,  Aiabi M. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Berthelon R. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Huard V. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Federspield X. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Diouf C. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Andrieu F. (CEA-LETI, Minatec campus, 17 rue des Martyrs, 38054 Grenoble Cedex 4, France) ,  Ortolland S. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Rafik M. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France) ,  Cacho F. (REER/STMicroelectronics - 850 rue Jean Monnet 38926 Crolles, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： XT-7.1-XT-7.6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,拡散(LOD)の長さの変化,活性領域,ゲルマニウム(Ge)の濃度と14nm極薄基板とボックス(UTBB)FDSOI CMOS技術を用いて作製したp-MOSFETトランジスタの性能と信頼性に見られるゲート積層変化の影響の効果に関する新しい結果を提供する。実験は,活性(SA)またはゲルマニウム濃度にゲートにSTI距離を変化しきい値電圧(V_th)とNBTI信頼性に影響を及ぼすことを示した。本研究では,NBTI劣化と回復上のSiGeの影響を理解するための新しい展望を提供する。さらに,NBTI回復はSiGe濃度とゲートスタックによっても影響を受けていないことを示し,またSiGeはNBTI劣化を改善できることが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： MOSFET ,  *チャネル ,  活性部位 ,  トランジスタ ,  *信頼性 ,  CMOS ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  閾値電圧 ,  *NBTI ,  *シリコンゲルマニウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪み ,  SiGe ,  チャネル ,  NBTI ,  洞察