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J-GLOBAL ID：201702241983045343   整理番号：17A1256468

GaNを基本とするSchottkyダイオード特性化のためのマイクロ秒時間分解電流崩壊試験装置【Powered by NICT】

A microsecond time resolved current collapse test setup dedicated to GaN-based Schottky diode characterization

著者 (8件)： Lorin T. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Van Den Daele W. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Gillot C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Charles M. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Biscarrat J. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Plissonnier M. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France) ,  Ghibaudo G. (IMEP-LAHC, Universite ́ Grenoble Alpes, Minatec/INPG, 38016, France) ,  Reimbold G. (CEA, LETI, MINATEC Campus, F-38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICMTS  ページ： 1-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaN系Schottky接合のような電力ダイオードにおける電流崩壊効果を特性化するために試験装置を紹介した。装置原理とその主要部品について述べた。電流/電圧過渡現象は順方向スイッチングへの逆後すぐに(ウエハプローバに対する2マイクロ秒)記録することができる。関連するトラッピング効果は温度依存測定により解析した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  *電流 ,  *窒化ガリウム ,  *試験装置 ,  電圧 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  温度依存性 ,  過渡現象 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： トラッピング ,  電力ダイオード ,  Schottky接合 ,  *マイクロ秒 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  Schottkyダイオード ,  特性化 ,  マイクロ秒 ,  分解 ,  崩壊試験