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J-GLOBAL ID：201702242042582417   整理番号：17A1096275

種々の基板温度とO_2流束でのRF反応性マグネトロンスパッタリングにより作製したFドープSnOまたはSnO_2膜の構造的,電気的,および光学的性質【Powered by NICT】

Structural, electrical, and optical properties of F-doped SnO or SnO₂ films prepared by RF reactive magnetron sputtering at different substrate temperatures and O₂ fluxes

著者 (10件)： Zhu B.L. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Zhu B.L. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, People’s Republic of China) ,  Zhao X. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Hu W.C. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Li T.T. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Wu J. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Gan Z.H. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Liu J. (The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan, 430081, People’s Republic of China) ,  Zeng D.W. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, People’s Republic of China) ,  Xie C.S. (State Key Laboratory of Materials Processing and Die & Mould Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan, 430074, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 719  ページ： 429-437  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnF_2Snターゲットを用いたRF反応性マグネトロンスパッタリングにより作製した膜の構造的,電気的,および光学的性質に及ぼす基板温度とO_2フラックスの影響を,X線回折(XRD),Hall効果測定,光透過スペクトル,光ルミネセンス(PL)スペクトルにより調べた。FドープSnO膜が生成し,RT 300°Cの基板温度の低いO_2フラックスで非晶質構造を示すことが判明し,基板温度が上昇すると膜を堆積するためのO_2フラックスの窓は減少した。FドープSnO_2(FTO)膜はより高いO_2流束で形成され,それらは室温の基板温度で非晶質状態が150と300°Cの基板温度で結晶状態を示した。増加O_2流束あるいは基板温度は結晶度を促進し,結晶FTO膜の成長配向に影響を与えることができる。高導電性FTO膜は適切なO_2フラックスとより高い基板温度(150および300°C)でのみ得ることができ,膜は高い量の酸素空格子点(V)と共に結晶SnO_2構造を維持した。150から300°Cまでの基板温度を増加させると,膜の結晶性は改善がFTO膜の抵抗率はFの外方拡散により減少しなかった。FドープSnO膜と比較して,FTO膜の可視光領域とバンドギャップ(E)での平均透過率は明らかに増加する。FTO膜は膜中の置換型ふっ素(F)とV_欠陥に起因することを類似形状のPLスペクトルを示し,PL発光強度は膜の結晶性の改善によりO_2流束あるいは基板温度の上昇と共に増加した。FドープSnO薄膜のPL発光特性(形状と強度)はFTO膜とは明らかに異なることが観察され,基板温度をRTから150°Cに大きく変化したが,対応する機構をさらに明らかにする必要がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 非晶質 ,  *光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  *基板温度 ,  バンドギャップ ,  結晶 ,  薄膜 ,  電気抵抗率 ,  スペクトル ,  透過率 ,  結晶度 ,  Hall効果 ,  *ドーピング ,  フッ素 ,  光透過スペクトル ,  *反応性マグネトロンスパッタリング

著者キーワード (6件)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  基板温度 ,  FドープSnO_2(FTO)薄膜 ,  SnO膜 ,  透明導電特性 ,  光ルミネセンス

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 基板温度 ,  流束 ,  Rf ,  反応性マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  ドープ ,  光学的性質