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J-GLOBAL ID：201702242103657453   整理番号：17A0702760

CO単分子層:優れた機械的性質を有する新しい直接バンドギャップ半導体の第一原理設計【Powered by NICT】

A CO monolayer: first-principles design of a new direct band-gap semiconductor with excellent mechanical properties

著者 (3件)： Teng Zi-Wei (Key Laboratory of Radio Frequency and Micro-Nano Electronics of Jiangsu Province, College of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210023, China. [e-mail]) ,  Liu Chun-Sheng ,  Yan Xiao-Hong
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 17  ページ： 5445-5450  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループV単分子層,例えば,窒素,ホスホレン,arsenene,antimoneneは最近電子およびオプトエレクトロニクス応用のための魅力的な候補として浮上してきた。しかし,これら原始単分子層は紫外-青色光応答に適した直接バンドギャップを有することができない。第一原理計算は,Pmma CO単分子層は,2.4eVの直接バンドギャップを持つことを示し,システムは良好な安定性を持つことを予測した。ホスホレンにおける小ひずみ下での容易な直接-間接ギャップ遷移とは異なり,Pmma COの直接バンドギャップ特性は12%までの歪下で維持される。驚いたことに,Pmma COはb方向であり,グラフェンのそれより高いに沿った475.7Nm~ 1まで異方性面内剛性と優れた機械的安定性を示した。面内正孔キャリア移動度は746.42cm~2V~ 1s~ 1であると予測され,ブラックホスホレンのそれに類似していた。合成した場合,Pmma CO単分子層は,新しい紫外/青色光電子デバイスの設計に大きな可能性を持つかもしれない。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： グラフェン ,  正孔 ,  *単分子層 ,  異方性 ,  *第一原理 ,  キャリア移動度 ,  剛性 ,  窒素 ,  *半導体 ,  オプトエレクトロニクス ,  機械的安定性 ,  第一原理計算 ,  *直接バンドギャップ ,  機械的性質
準シソーラス用語： 光電子デバイス ,  光応答 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： CO ,  単分子層 ,  機械的性質 ,  直接バンドギャップ ,  第一原理 ,  設計