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J-GLOBAL ID:201702242139558752   整理番号:17A1121546

室温持続性光伝導のための革新的堆積後アニーリング法を産生するセンチメートルスケールIn_2O_3/In_2(TeO_3)-3バルクヘテロ接合薄膜【Powered by NICT】

An Innovative Postdeposition Annealing Approach Producing Centimeter-Scale In2O3/In2(TeO3)3 Bulk Heterojunction Thin Film for Room-Temperature Persistent Photoconductivity
著者 (3件):
資料名:
巻:号:ページ: null  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2486A  ISSN: 2195-1071  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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残留光伝導は様々な興味ある応用にとって大きな意味を持っている。しかし,容易で効率的な技術により作製した大規模薄膜をベースとした残留光伝導デバイスは最近になって達成した。本研究では,センチメートルスケールIn_2O_3/In_2(TeO_3)3バルクヘテロ接合薄膜を革新的かつ簡便な二段階法,初期パルスレーザ堆積とそれに続く堆積後アニーリング過程を経由して調製した。プロトタイプオプトエレクトロニクスデバイスを作製し,ソース-ドレイン電圧と入射パワー密度の両方に正の依存性と顕著な残留光伝導を示した。この装置も赤色に紫外から波長を持つ入射光に対して光応答を示し,オプトエレクトロニックメモリと画像のような実用的なデバイス応用のための大きな可能性を明らかにした。観察された現象と一致し物理モデルは,バルクヘテロ接合システムにおける残留光伝導の発生を定性的に説明した。添加では,簡単な二段階手法をさらにフレキシブル雲母基板に適用し,残留光伝導は十回の曲げサイクルの,ウェアラブルデバイスの可能性を示すだけでなく,光励起のための調整可能かつ拡張焦点範囲を提供するに対して維持された。これらの知見は,持続的光伝導性の開発のための革新的で普遍的なシナリオを提供した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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