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J-GLOBAL ID：201702242439886437   整理番号：17A0640857

スズ含有量を変えた歪SiGeSn/Si層中の価電子バンドオフセット

Valence-Band Offsets in Strained SiGeSn/Si Layers with Different Tin Contents

著者 (9件)： BLOSHKIN A. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  BLOSHKIN A. A. (Novosibirsk State Univ., Novosibirsk, RUS) ,  YAKIMOV A. I. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  YAKIMOV A. I. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  TIMOFEEV V. A. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  TUKTAMYSHEV A. R. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  NIKIFOROV A. I. (Rzhanov Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  NIKIFOROV A. I. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  MURASHOV V. V. (Novosibirsk State Technical Univ., Novosibirsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 51  号： 3  ページ： 329-334  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースの発光素子はバンドギャップや間接遷移であるなどのいくつかの本質的な難点を抱えている。それを解決するために多くの研究者が合金GeSnSiを試みてきたが,バンドギャップを調節してもシリコンとの界面でのバンドオフセットに関してはデータが不足している。アドミッタンス分光を用いてSi_0.7-yGe_0.3Sn_y/Si量子井戸中の正孔状態を組成範囲y=0.04~0.1において調べた。Si母材中にシュードモルフィックなSi_0.7-yGe_0.3Sn_y層を含んだ構造中の正孔のサイズ量子化を6バンドk・pモデルで求めた。Si_0.7-yGe_0.3Sn_yヘテロ表面での価電子バンドオフセットは数値計算と実験データを組み合わせて求めた。シュードモルフィックなSi_0.7-yGe_0.3Sn_y層とSi間の価電子バンドオフセット実験体のスズ含有量依存性は式,ΔE^exp=(0.21±0.01)+(3.35±7.8×10^-4)yeVで表されることとが分かった。

シソーラス用語： *ケイ素合金 ,  *半導体 ,  *バンドオフセット ,  *含有量 ,  *量子井戸 ,  量子サイズ効果 ,  摂動論 ,  *ドーピング ,  *ゲルマニウム合金 ,  ケイ素含有合金 ,  スズ含有合金 ,  スズ ,  価電子バンド
準シソーラス用語： k・pモデル ,  アドミタンス ,  サイズ量子化 ,  *シュードモルフィック成長 ,  *歪半導体

分類 (2件)： 結晶中の局在電子構造  (BM02090U) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (6件)： スズ ,  含有量 ,  歪 ,  Si層 ,  価電子バンド ,  オフセット