in situシード層を用いた原子層堆積によって得られたグラフェン上のAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜の界面電気特性

FISICHELLA Gabriele; SCHILIRO Emanuela; DI FRANCO Salvatore; FIORENZA Patrick; LO NIGRO Raffaella; ROCCAFORTE Fabrizio; RAVESI Sebastiano; GIANNAZZO Filippo

文献

J-GLOBAL ID：201702242473843703 整理番号：17A0621151

in situシード層を用いた原子層堆積によって得られたグラフェン上のAl₂O₃薄膜の界面電気特性

Interface Electrical Properties of Al₂O₃ Thin Films on Graphene Obtained by Atomic Layer Deposition with an in Situ Seedlike Layer

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0621151&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0621151&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W2329A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 9 号： 8 ページ： 7761-7771 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

優れた電子的,光学的,熱的および機械的特性のために,グラフェン(Gr)は,エレクトロニクス,オプトエレクトロニクス,およびセンシングの分野における将来のアプリケーションに対し,大きな期待が寄せられている。本研究では,Al₂O₃-Si基板上に存在する大面積Gr上に,2ステップのALDプロセス(100°CでH₂O-補助シード堆積され,続いて250°CでALD堆積された)によって成長した,Al₂O₃薄膜の詳細な形態学的,構造的および電気的調査を,報告する。低温シード層堆積ステップの最適化により,Gr膜上に一様で,コンフォーマルな,ピンホールのないAl₂O₃膜を得ることができた。導電性AFMによる誘電体を通る電流のナノスケール分解能マッピングは,横方向に均一な膜を示し,トランジスタの動作中に印加される典型的なゲート電界に対して,無視できる漏れ電流であった。

, , , , , , , ,
, , , ,

酸化物薄膜 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般 , 固体の表面構造一般

, , , , , ,

前のページに戻る

in situシード層を用いた原子層堆積によって得られたグラフェン上のAl2O3薄膜の界面電気特性

in situシード層を用いた原子層堆積によって得られたグラフェン上のAl₂O₃薄膜の界面電気特性