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J-GLOBAL ID：201702242492450806   整理番号：17A0602186

sp³結合半導体におけるバンドギャップ変化に関する総括的な研究:内部空間に浮かぶ電子状態の役割

Comprehensive Study on Band-Gap Variations in sp³-Bonded Semiconductors: Roles of Electronic States Floating in Internal Space

著者 (2件)： MATSUSHITA Yu-ichiro (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  OSHIYAMA Atsushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 86  号： 5  ページ： 054702.1-054702.7  発行年： 2017年05月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子構造計算を行って,sp³結合半導体材料,すなわち,SiC,AlN,BN,GaN,Si,及びダイヤモンドに関するポリタイプへのバンドギャップ依存性を追及した。この総括的な研究において,ポリタイプへのバンドギャップの依存性が,sp³結合半導体において共通であることを見出した。SiC,AlN,及びBNは,3C構造において最小のバンドギャップを示しが,ダイヤモンドは,2H構造においてであった。バンドギャップ変化の微視的な機構が,伝導バンド最小(CBM)において内部空間に浮かぶ特別な電子状態によること,内部チャネル長及びチャネルにおける静電ポテンシャルが,CBMのエネルギー準位に影響を与えることも,明確にした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 半導体材料 ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ホウ素 ,  *窒化ガリウム ,  *ケイ素 ,  *ダイヤモンド ,  *バンドギャップ ,  *ポリタイプ ,  電子状態
準シソーラス用語： *シリコン

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  無機化合物の結晶構造一般  (BK07001T)

引用文献 (36件)：

• A. R. Verma and P. Krishna, Polymorphism and Polytypismin Crystals (Wiley, New York, 1966).
• T. Kimoto and J. A. Cooper, Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices, and Applications (Wiley, Singapore, 2014).
• For a review, see, Properties of Silicon Carbide, ed. G. L. Harris (Inspec, London, 1995).
• Y.-i. Matsushita, S. Furuya, and A. Oshiyama, Phys. Rev. Lett. 108, 246404 (2012).
• Y.-i. Matsushita and A. Oshiyama, Phys. Rev. Lett. 112, 136403(2014).

タイトルに関連する用語 (6件)： Sp3 ,  バンドギャップ ,  研究 ,  内部空間 ,  電子状態 ,  役割