文献
J-GLOBAL ID:201702242613404957
整理番号:17A1138541
近接昇華法によるTe系カルコパイライトの作製と濡れ性の影響
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著者 (4件):
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資料名:
巻:
78th
ページ:
ROMBUNNO.5p-A411-13
発行年:
2017年08月25日
JST資料番号:
Y0055B
ISSN:
2758-4704
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (3件):
分類
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半導体薄膜
, 半導体の表面構造
, 固-固界面
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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