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J-GLOBAL ID：201702242656172136   整理番号：17A0795473

センス増幅器ハーフバッファ(SAHB)低電力高性能非同期論理QDI細胞テンプレート【Powered by NICT】

Sense Amplifier Half-Buffer (SAHB) A Low-Power High-Performance Asynchronous Logic QDI Cell Template

著者 (5件)： Chong Kwen-Siong (Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Ho Weng-Geng (Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Lin Tong (Temasek Laboratories, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Gwee Bah-Hwee (Virtus, IC Design Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Chang Joseph S. (Virtus, IC Design Centre of Excellence, School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems  (IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems)
巻： 25  号： 2  ページ： 402-415  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0516A  ISSN： 1063-8210  CODEN： ITCOB4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい非同期論理(非同期)準遅延鈍感(QDI)センスアンプ半緩衝液(SAHB)セル設計手法を提案し,高い操作ロバスト性,高速,低消費電力に重点を置いた。提案SAHBの五つの重要な特徴である。SAHB細胞はプロセス電圧-温度変化に対応するために非同期QDI4相(4φ)シグナリングプロトコルを具体化した。第二に,SAHB細胞におけるセンス増幅器(SA)ブロックは正のフィードバック機構を用いた交差結合ラッチを出力評価をスピードアップした。第三に,SAHBにおける評価ブロックは,最小トランジスタサイジングによるnMOSプルアップとプルダウンネットワークの両方から構成されている寄生容量を低減した。第四に,評価ブロックとSAブロックの両方が強く冗長内部交換ノードを低減するために結合した。第五に,SAHB細胞であるCMOSスタティック論理で設計し,従って公称電圧(1 V)の範囲V_DD用の全視野動的電圧スケーリング操作サブしきい値電圧(~0.3 V)に適している。提案SAHBを六ライブラリセルは,従来の非同期QDIプリチャージ半緩衝液(PCHB)アプローチを具体化するものと比較した場合,提案したSAHB細胞は, 64%低い電力, 21%速く,および 6%小さいIC面積同時を特徴とするPCHB細胞は,サブしきい値動作には不適当である。SAHBアプローチ(65nm CMOSで)に基づくプロトタイプ64ビットKogge-Stoneパイプライン加算器を設計した。1GHzスループットと公称V_DDで,SAHBアプローチに基づく設計はそのPCHB対応物よりも 56%低いエネルギーと 24%低いトランジスタ数利点を特徴とした。ユビキタス同期論理対応物に対してベンチマークと,SAHBは1GHzスループットで 39%低いエネルギーを散逸する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度変動 ,  加算器 ,  漂遊容量 ,  ロバスト性 ,  ベンチマーク ,  *センス増幅器 ,  スループット ,  CMOS ,  *電力 ,  トランジスタ ,  電圧 ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： プリチャージ ,  サブ閾値 ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  論理回路  (NC05070B) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (8件)： センス増幅器 ,  バッファ ,  低電力 ,  高性能 ,  非同期 ,  論理 ,  細胞 ,  テンプレート