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J-GLOBAL ID：201702242804959649   整理番号：17A0817830

溶液プロセスで作製したグラファイト状窒化炭素類似体薄膜の電気化学特性

Electrochemical properties of solution-processed films composed of graphitic carbon nitride analogs

著者 (5件)： ARAI Miyu (Graduate School of Sci. Engineering Yamagata Univ.) ,  OKAMURA Shota (Graduate School of Sci. Engineering Yamagata Univ.) ,  ISHIZAKI Manabu (Graduate School of Sci. Engineering Yamagata Univ.) ,  KANAIZUKA Katsuhiko (Graduate School of Sci. Engineering Yamagata Univ.) ,  KURIHARA Masato (Graduate School of Sci. Engineering Yamagata Univ.)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 97th  ページ： ROMBUNNO.1PB-011  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は安価で合成が容易なN型半導体であり,水の光分解に利用できるエネルギー準位を有することから近年注目されている。しかし,溶媒に不溶であることや光吸収領域が狭い点から溶液系での薄膜デバイスへの応用は難しい。そこで本研究ではg-C3N4骨格に有機分子によるドーピングを行いcarbon Nitride Analogs(CNA)の合成を試みた。さらにFTO電極上に溶液プロセスで薄膜を作製することで電気化学挙動を検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭素化合物 ,  *窒化物 ,  N型半導体 ,  光触媒 ,  電気化学 ,  溶液成長 ,  薄膜成長 ,  *電気化学的挙動 ,  化学修飾電極 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  *窒化炭素

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液 ,  プロセス ,  作製 ,  グラファイト状窒化炭素 ,  類似体 ,  薄膜 ,  電気化学特性