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J-GLOBAL ID：201702242833470675   整理番号：17A1388123

GaAsエピレディ基板上にMOCVDにより成長させた(100)HgCdTe層上のヒロック形成の研究【Powered by NICT】

Investigation of hillocks formation on (100) HgCdTe layers grown by MOCVD on GaAs epi-ready substrates

著者 (7件)： Keblowski A. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Kopytko M. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Mlynarczyk K. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Gawron W. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Piotrowski J. (Vigo System S.A., 129/133 Poznanska St., 05-850 Ozarow Mazowiecki, Poland) ,  Martyniuk P. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland) ,  Rogalski A. (Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego St., 00-908 Warsaw, Poland)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 84  ページ： 87-93  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaAsエピ基板上に有機金属化学蒸着を用いた(100)HgCdTeエピ層の成長における最近の進歩を提示した。「ヒロック」として知られているマクロ欠陥,(100)結晶方位を持つHgCdTeエピ層の表面上の還元で達成された特別な進歩。大規模欠陥は貧弱な基板処理,以前の堆積からのダストとレムナント,核形成と成長過程の非最適パラメータのような源から生じる可能性がある。著者らの実験では,ヒロック密度は成長パラメータの適切な選択によって<10~2cmまで~ 2減少した。得られたエピ層がデバイス製作に適している。今までのところ,室温に近い温度で動作する光伝導体で得られた顕著な改善(100)HgCdTeから作製した素子はそれらの(111)Bよりも一桁高い電圧応答の約一桁を有していた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *テルル化カドミウム水銀 ,  電圧 ,  塵埃 ,  赤外検出器 ,  *ヒ化ガリウム ,  核形成 ,  *MOCVD ,  結晶方位 ,  成長段階
準シソーラス用語： 光伝導体 ,  生長パラメータ ,  最適パラメータ ,  エピタキシャル層 ,  *ヒロック , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： HgCdTe ,  ヒロック ,  マクロ欠陥 ,  MOCVD ,  赤外検出器

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  MOCVD ,  成長 ,  HgCdTe ,  ヒロック ,  研究