文献

J-GLOBAL ID：201702242885643720   整理番号：17A0562133

非平衡融解/急冷条件の下で形成された化学的に均質で熱的にロバストなNi_1-xPt_xSi薄膜

Chemically Homogeneous and Thermally Robust Ni_1-xPt_xSi Film Formed Under a Non-Equilibrium Melting/Quenching Condition

著者 (19件)： KIM Jinbum (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Jinbum (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  CHOI Seongheum (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Taejin (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  PARK Taejin (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Jinyong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Chulsung (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  CHA Taeho (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  LEE Hyangsook (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  LEE Hyangsook (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  LEE Eunha (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  WON Jung Yeon (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  LEE Hyung-Ik (Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR) ,  HYUN Sangjin (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Sunjung (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  SHIN Dongsuk (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KIM Yihwan (Samsung Electronics, Hwaseong, KOR) ,  KWON Keewon (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  KIM Hyoungsub (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 1  ページ： 566-572  発行年： 2017年01月11日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETのサブ50nm技術ノードが出現してから,ケイ化ニッケル(NiSi)は超浅接合の接触材料として役立っている。本文では,非平衡融解/急冷条件(>1000°C)の下でミリ秒アニーリング(MSA)プロセスを使用して,Ni_1-xPt_xSi薄膜を形成した。Siと種々の金属薄膜(Pt,Pd,Ni等)を反応させる同様の融解/凝固プロセスは1970年台後期からNd:YAGまたはNdガラスレーザを,また2000年の中期にエキシマレーザを使って実証された。先の研究と対照的に,融解/凝固プロセスの下で前もって形成されたNi₂Si薄膜を低抵抗のNi_1-xPt_xSi薄膜に変えるために,改良されたMSAプロセスを使用した。

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  焼なまし ,  *MOSFET ,  融解 ,  急冷 ,  凝塊 ,  凝固
準シソーラス用語： アニーリング ,  *ケイ化ニッケル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非平衡 ,  融解 ,  急冷 ,  化学 ,  ロバスト ,  薄膜