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J-GLOBAL ID：201702242910419398   整理番号：17A1261720

TDDBのBuettikerプローブに基づくモデリング:MTJとMOSデバイスの絶縁破壊への応用【Powered by NICT】

Buettiker Probe-Based Modeling of TDDB: Application to Dielectric Breakdown in MTJs and MOS Devices

著者 (3件)： Reza Ahmed Kamal (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Hassan Mohammad Khaled (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA) ,  Roy Kaushik (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 8  ページ： 3337-3345  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電層は徐々に収縮素子サイズのMOSFETと磁気トンネル接合(MTJ)のような種々の電子デバイスのダウンスケールされている。結果として,時間依存絶縁破壊はこのような素子における重要な問題となっている。本論文では,誘電体層の時間依存性摩耗によるストレス誘起漏れ電流(SILC)とポスト絶縁破壊電流(PBC)モデル化の一般化方法を提案した。SILCとPBCを決定するために,Buettikerプローブを用いた誘電体層中に形成されたトラップをモデル化し,標準自己無撞着非平衡Green関数形式におけるBuettikerプローブ自己エネルギーを組み込んだ。添加では,MTJのスピン電流とスピンフィルタリング特性に及ぼす誘電体層中の破壊の影響を示した。提案したモデルは性質において汎用的である。型誘電体材料(s)の単一および複数の層を持つMTJと従来のCMOS技術から拡張した他のデバイスにすることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MOSFET ,  *絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  *プローブ ,  電流 ,  誘電体 ,  *モデリング ,  モデル
準シソーラス用語： スピンフィルタリング ,  スピン電流 ,  非平衡Green関数 ,  SILC ,  磁気トンネル接合 ,  絶縁層 ,  *TDDB , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： TDDB ,  プローブ ,  モデリング ,  MTJ ,  MOSデバイス ,  絶縁破壊 ,  応用