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J-GLOBAL ID：201702243007980178   整理番号：17A1090478

クリティカルディメンションの散乱計測用のTiN金属ハードマスクの進んだ光学モデリング

Advanced optical modeling of TiN metal hard mask for scatterometric critical dimension metrology

著者 (4件)： EBERSBACH Peter (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU) ,  URBANOWICZ Adam M. (Nova Measuring Instruments, Dresden, DEU) ,  LIKHACHEV Dmitriy (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU) ,  HARTIG Carsten (GLOBALFOUNDRIES Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10145  号： Pt.2  ページ： 101451G.1-101451G.13  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 散乱測定に用いるTiN金属ハードマスクの光学モデリングを行った。モデリングではTiNの誘電関数の厚み依存性を考慮した。吸収率の高い膜の存在は,金属膜の下の誘電体層厚に影響を及ぼす。この現象はしばしば適合の良さにより反映されない。マイクロエレクトロニクス製造における自動プロセス制御のための望ましい品質の散乱測定モデルを実現するためには,金属の正確な光学モデルが不可欠であることを示した。本論文で示したモデリング手法は,拡散障壁及び金属ゲートなどの他のTiN応用,及びあらゆる技術ノードのマイクロエレクトロニクス製造に用いられる他の金属にも適用できる。

シソーラス用語： *マスク ,  長さ ,  *計測 ,  *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  モデリング ,  誘電関数 ,  プロセス制御 ,  光学的性質 ,  金属薄膜 ,  半導体プロセス ,  回路パターン形成 ,  フォトリソグラフィー
準シソーラス用語： クリティカルディメンジョン ,  *ハードマスク ,  光CD ,  光学モデリング ,  *散乱測定 ,  *窒化チタン ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： クリティカルディメンション ,  散乱計測 ,  TiN ,  ハードマスク ,  光学 ,  モデリング