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J-GLOBAL ID：201702243048980396   整理番号：17A1724209

局所熱処理誘起引張応力による金属MEMS共振器のQブースティング【Powered by NICT】

Q-boosting of metal MEMS resonators via localized anneal-induced tensile stress

著者 (3件)： Ozgurluk Alper (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California at Berkeley Berkeley, California, USA) ,  Liu Ruonan (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California at Berkeley Berkeley, California, USA) ,  Nguyen Clark T.-C. (Dept. of Electrical Engineering and Computer Sciences University of California at Berkeley Berkeley, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EFTF IFCS  ページ： 10-15  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所化されたJoule加熱による引張応力の導入は,今日までのQを測定した最高金属MEMS共振器のいくつかの高い12MHzルテニウムマイクロ機械両持ち梁(CCビーム’)のための48,919が得られた。高QのVHF帯に続く,61と70MHzでの7,202と4,904のQのであった。これらのマークしたポリシリコンCCビームで以前に測定した70MHzで10MHz及び300での6,000よりも実質的に高い,金属Qは従来,ミクロ加工可能な材料と競合できないという一般の確信を克服している。,最高温度450°Cと200°Cの低い天井への経路と,低温ルテニウム金属プロセスは,最終鋳造CMOSウエハ上に直接MEMS後処理を可能にし,それによってCMOS-MEMS回路の完全モノリシック実現,通信トランシーバにおける必要などへの有望な道を提供した。これは,その高いQと共に,最終的にいくつかの応用におけるポリシリコンよりも望ましいルテニウム金属にする可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポリシリコン ,  *熱処理 ,  CMOS ,  マイクロマシン ,  後処理 ,  最高気温 ,  *MEMS ,  低温 ,  *引張応力 ,  ルテニウム ,  抵抗加熱 ,  送受信機 ,  鋳造
準シソーラス用語： 局在化 ,  *MEMS共振器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 振動の励起・発生・測定  (BB02030Z)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱処理 ,  誘起 ,  引張応力 ,  MEMS共振器 ,  ブースティング