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J-GLOBAL ID:201702243141724389   整理番号:17A0238406

3D NAND技術における設計課題:層コンデンサを用いた4.8X面積と1.3X電力効率の良い20V電荷ポンプ【Powered by NICT】

Design challenge in 3D NAND technology: A 4.8X area- and 1.3X power-efficient 20V charge pump using tier capacitors
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巻: 2016  号: A-SSCC  ページ: 165-168  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,3D NAND技術における設計課題を述べ,ポンプコンデンサのための複数の層を用いた面積と電力効率の良い20Vチャージポンプを提案した。32層を用いて,ポンプ面積と消費電力は,それぞれ,余分のプロセスコストを添加せずに2.5V,3D NAND技術における従来のNウエルキャパシタポンプに比べて4.8と1.3倍減少した。チャージポンプ設計戦略についても考察した。層の数が2倍になるとして動作周波数を二分に1に減少でき,3D NAND技術が進められている,電力効率をさらに改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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半導体集積回路 

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