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J-GLOBAL ID：201702243305991459   整理番号：17A1054451

シリコン基板上のバリアレス銅メタライゼーションのための銅アルミニウム合金薄膜の熱安定性

Thermal Stability of Copper-Aluminum Alloy Thin Films for Barrierless Copper Metallization on Silicon Substrate

著者 (7件)： WANG C.P. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  DAI T. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LU Y. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  SHI Z. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  RUAN J.J. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  GUO Y.H. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  LIU X.J. (Xiamen Univ., Xiamen, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 8  ページ： 4891-4897  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,アルミニウム濃度を変えてドープした銅薄膜(膜厚約500nm)を,Si基板上にマグネトロンスパッタリングで成膜し,200°C-600°Cで1時間,または400°Cで1時間~11時間アニールした後の結晶構造,微細構造および電気抵抗率を,グレージング入射X線回折(GIXRD)分析,走査型電子顕微鏡(SEM),および4点プローブ(FPP)測定を用いて測定した。その結果,微量のアルミニウムを添加した固溶体の銅アルミニウム合金薄膜は,銅薄膜に比べて熱安定性が向上し,アルミニウム濃度の増加に伴ってその効果が増大した。これは,適切なアルミニウム含有量のドーピングが,アニール後に高い熱安定性および低い電気抵抗率を有する銅薄膜を得るのに役立ち,バリアレス銅メタライゼーションの高度な応用の可能性を示唆している。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  メタライゼーション ,  *熱安定性 ,  結晶構造 ,  電気抵抗率 ,  バリアフリー ,  *アルミニウム化合物 ,  *銅合金
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  銅 ,  メタライゼーション ,  アルミニウム ,  合金薄膜 ,  熱安定性