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J-GLOBAL ID：201702243518811839   整理番号：17A1913608

マルチ高調波処理回路を用いた低SHF帯広帯域GaN HEMT高効率電力増幅器

Wide-Band High-Efficiency GaN HEMT Amplifier Based on Multi-Harmonic Treatments at Low SHF Band

著者 (3件)： 高木裕貴 (電通大) ,  石川亮 (電通大) ,  本城和彦 (電通大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 291(MW2017 111-141)  ページ： 51-56  発行年： 2017年11月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代移動通信システムの実現に向けて,電力増幅器の更なる高周波領域での高効率化に加えてマルチバンド化等の高機能化も同時に要求されている。我々は,リアクティブ終端処理技術を基に,マルチバンド高効率増幅器を実現してきているが,その際,高調波処理次数の増加に伴う短絡スタブ接続点数の増加による設計の困難化が問題となっていた。一方で,我々はT型スタブにより2つの高調波を同時に短絡するリアクティブ終端処理技術を用いた高効率電力増幅器構成手法を提案し,その有用性を確認している。そこで,2周波に対して高調波処理を施すデュアルバンド高効率化を基に,従来は設計の困難化によりそれぞれの基本波に対して2次高調波処理までの処理に留まっていたが,今回,提案手法に基づき3次高調波まで処理した回路構成による広帯域高効率電力増幅器を設計・試作し評価した。その結果,4.6GHzで最大付加電力効率68%,最大ドレイン効率72%,出力電力38dBm,4.9GHzで最大付加電力効率65%,最大ドレイン効率69%,出力電力37dBm,4.54から5.04GHzで最大ドレイン効率が60%以上と広帯域な良好結果が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *移動通信 ,  SHF【周波数】 ,  広帯域 ,  HEMT ,  *電力増幅器 ,  *高調波 ,  *成端 ,  電気回路 ,  *回路設計 ,  電力付加効率
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  マイクロ波電力増幅器 ,  *マルチバンド ,  第三高調波 ,  負荷回路

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  増幅回路  (NC05040U)

引用文献 (7件)：

• N. O. Sokal, and A. D. Sokal, “Class-E A new class of high efficiency tuned single-ended switching power amplifiers,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-10, pp. 168-176, Jun. 1975.
• F. H. Raab, “Class-F power amplifiers with maximally flat waveforms,” IEEE Trans. Microw. Theory., vol. 45, no. 11, pp. 2007-2012, Nov. 1997.
• S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications, 2nd ed. Norwood, MA: Artech House, 2006.
• M. Kamiyama, R. Ishikawa, K. Honjo, IEEE Microw. Wireless Compon. Lett., vol.22, no.6, pp.315-317, Jun. 2012.
• T. Yao, R. Ishikawa, Y. Takayama and K. Honjo, Proc.APMC2013 P1-21,Nov.2013

タイトルに関連する用語 (9件)： マルチ ,  高調波 ,  処理回路 ,  SHF帯 ,  広帯域 ,  GaN ,  HEMT ,  高効率 ,  電力増幅器