文献

J-GLOBAL ID：201702243537727412   整理番号：17A1157939

ジャンクションレスダブルゲートMOSFETのシミュレーション解析

著者 (3件)： 後藤優太 (富山県大) ,  松田敏弘 (富山県大) ,  岩田栄之 (富山県大)
資料名： 電気関係学会北陸支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (Joint Conference of Hokuriku Chapters of Electrical Societies (CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.D-7  発行年： 2017年09月11日 
JST資料番号： L2176B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *シミュレーション ,  ゲート【半導体】 ,  Schroedinger方程式 ,  *構造最適化 ,  Poisson方程式 ,  電流電圧特性 ,  ダブルゲートMOSFET ,  *改変
準シソーラス用語： *シミュレーション解析 ,  ジャンクションレスMOSFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (2件)： MOSFET ,  シミュレーション解析