Yamaoka Yuya について
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan について
Yamaoka Yuya について
Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan について
Kakamu Ken について
Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan について
Ubukata Akinori について
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan について
Yano Yoshiki について
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan について
Tabuchi Toshiya について
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan について
Matsumoto Koh について
Taiyo Nippon Sanso Corporation, 10 Ohkubo, Tsukuba, Ibaraki 300-2611, Japan について
Egawa Takashi について
Nagoya Institute of Technology, Gokiso-chou, Nagoya, Aichi 466-8555, Japan について
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science について
窒化アルミニウム について
窒化ガリウム について
バッファ層 について
亀裂 について
転位密度 について
漏れ電流 について
HEMT について
二次元電子ガス について
アルミニウム について
絶縁破壊電圧 について
結晶品質 について
窒化アルミニウムガリウム について
AlGaN/GaN について
シリコンウエハ について
AlGaN について
破壊電圧 について
GaN について
高電子移動度トランジスタ について
シリコン について
基板 について
トランジスタ について
半導体薄膜 について
Si基板 について
AlGaN について
GaN について
高電子移動度トランジスタ について
バッファ層 について
Al含有量 について