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J-GLOBAL ID：201702243611628898   整理番号：17A1033103

ミニマルファブシステムにおける窒化けい素膜形成のための新しい小型E CRプラズマ源【Powered by NICT】

New compact ECR plasma source for silicon nitride film formation in minimal fab system

著者 (5件)： Goto Tetsuya (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato Kei-ichiro (Kotec Co., LTD.) ,  Yabuta Yuki (Seinan Industries Co., LTD.) ,  Sugawa Shigetoshi (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Hara Shiro (The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EDTM  ページ： 84-85  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低損傷プラズマ処理のためのコンパクトな磁気ミラー閉じ込めE CRプラズマ源を開発し,特にミニマルファブシステムにおけるサブミクロンCMOSデバイスプロセスのための高品質シリコン窒化膜形成の実現を目指した。磁場閉じ込めプラズマが生成し,400°Cで形成された窒化けい素膜のためのHF溶液に対する湿式エッチング抵抗は750°Cで通常の低圧CVD法で作製した膜のそれと同じレベルであった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低圧 ,  磁場閉込め ,  *窒化ケイ素 ,  化学蒸着 ,  ケイ素 ,  *プラズマ ,  *プラズマ源 ,  ウェットエッチング ,  プラズマ処理
準シソーラス用語： 窒化膜 ,  高品質 ,  磁気ミラー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化けい素 ,  膜形成 ,  Cr ,  プラズマ源