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J-GLOBAL ID：201702243618128791   整理番号：17A0795184

秋貯蔵電荷逆回復を用いたオンライン高出力p-i-nダイオード接合温度抽出【Powered by NICT】

Online High-Power p-i-n Diode Junction Temperature Extraction With Reverse Recovery Fall Storage Charge

著者 (4件)： Luo Haoze (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Chen Yuxiang (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  Li Wuhua (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China) ,  He Xiangning (College of Electrical Engineering, Zhejiang University, Hangzhou, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 32  号： 4  ページ： 2558-2567  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高電圧と高出力p-i-nダイオードの接合部温度を抽出する方法を提案した。逆回復電流立下がり時間中の後退した電荷は接合温度変化,後退した電荷を可能になる熱に敏感な電気的パラメータ(TSEP)によって影響されることを調べた。p-i-nダイオードを用いた大電力IGBTモジュールの特異的パッケージのおかげで,p-i-nダイオードの後退した電荷は,Kelvin波と電力エミッタ端末間の寄生インダクタL_eEにv_eE誘導電圧によって測定することができる。典型的な誘導ハーフブリッジ回路では,上部p-i-nダイオードと低い可能IGBT間の交換の総合的な分析は,逆回復電荷,逆電流立下り時間,接合温度の間の単調な関係を明らかにした。二重パルスチョッパ回路を理論解析を検証した。実験結果は,逆回復電流立下がり時間中のダイオード接合温度と電荷の間の依存性はほぼ線形であることを示した。三次元ルックアップテーブルを較正し,p-i-nダイオード接合動作温度を推定するために使用できる。最後に,p-i-nダイオードの四TSEPの実験的比較により,提案したTSEPの実装の実現可能性を検証するために提示される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  線形性 ,  電力 ,  パルス ,  IGBT ,  三次元 ,  端末装置 ,  チョッパ回路 ,  *電荷 ,  *ダイオード
準シソーラス用語： 理論解析 ,  ハーフブリッジ ,  高電力 ,  *接合温度 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 秋 ,  貯蔵電荷 ,  回復 ,  オンライン ,  高出力 ,  ダイオード ,  接合温度