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J-GLOBAL ID：201702244037725557   整理番号：17A1036245

ウエハレベルパッケージングシステムにおける自己相互加熱の研究【Powered by NICT】

A study of self- and mutual-heating in wafer level packaging systems

著者 (5件)： Hau-Riege Christine (Technology and Reliability Engineering, Qualcomm Technologies, Inc., Santa Clara, CA 95051 USA) ,  Xu Guoping (Technology and Reliability Engineering, Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, CA 92121 USA) ,  Zhang Q J (Technology and Reliability Engineering, Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, CA 92121 USA) ,  Yau YouWen (Technology and Reliability Engineering, Qualcomm Technologies, Inc., San Diego, CA 92121 USA) ,  Farr Hosain (Qualitau, Inc. Mountain View, CA 94043 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRPS  ページ： 4A-5.1-4A-5.6  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 今日のウエハレベルパッケージングシステムの自己-相互加熱の詳細な研究は,周囲温度,空気の流れ,および基板中のCu面の存在と付着金型で特性化されている。自己加熱測定のために,基板と金型の相互接続は個々に駆動した。相互加熱測定のために,基板中のこん跡量を同時に駆動した,微量と金型を利用した,または全てのトレースとダイを駆動した。これらの効果のうち,物様条件で相互加熱は最大温度上昇につながった,周囲温度,ファンオンまたはオフ,及び受動型はあまり寄与した。ボードにおけるCu面の存在は,熱散逸全シナリオの約半分に温度上昇を下げ,の大きな増加をもたらした。本研究からの結果は,一般的な条件のための大きなマージンを測定結果で観察された長年の工業仕様と比較した。,ウエハレベルパッケージング系の陽的熱研究は,設計制約を緩和し,熱管理を改善することができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャラクタリゼーション ,  熱管理 ,  *昇温 ,  銅 ,  相互接続 ,  付着 ,  最高気温
準シソーラス用語： *ウエハレベルパッケージ ,  熱散逸 ,  自己加熱 ,  周囲温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 自己 ,  研究