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J-GLOBAL ID：201702244125935190   整理番号：17A1995709

小発散角入射X線平行ビームによるGaN基板表面0001対称禁制反射6回対称Phiスキャンパターン

Sixfold symmetrical Phi scanning pattern of 0001 forbidden reflections from GaN{0001} wafer surface using small divergent incident parallel X-ray beam

著者 (6件)： 大鉢忠 (界面反応成長研) ,  佐藤祐喜 (同志社大 理工) ,  竹本菊郎 (界面反応成長研) ,  羽木良明 (住電半導体材料) ,  和田元 (同志社大 理工) ,  吉門進三 (同志社大 理工)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 46th  ページ： ROMBUNNO.28a-A08  発行年： 2017年 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  自由表面 ,  結晶方位 ,  対称性 ,  結晶面 ,  *禁制反射 ,  モードパターン ,  入射角 ,  発散 ,  *X線反射 ,  光子ビーム ,  表面構造 ,  光走査
準シソーラス用語： X線ビーム

分類 (2件)： X線回折法  (BK01020I) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 発散 ,  入射X線 ,  平行ビーム ,  GaN ,  基板表面 ,  対称 ,  禁制反射 ,  PHI ,  スキャン