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J-GLOBAL ID:201702244142551732   整理番号:17A0937099

h-BN上のグラフェン:整列にするかしない【Powered by NICT】

Graphene on h-BN: to align or not to align?
著者 (5件):
資料名:
巻:号: 25  ページ: 8799-8804  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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接着および摩擦,グラフェンと不整合結晶基板h-BNなどの間の接触強さは,それらの相対配向角θに依存する。十分に確立されたNovaco McTague(NM)理論は硬質バルクh-BN結晶面上の単層グラフェンを予測する小さい自発不整合,ここで実現すれば機械的パラメータに加えて電子的性質の宿主に関連したと思われるθ_NM≒0.45°Cであった。実験平衡は達成が困難であるので,著者らは信頼できる最新の原子間力の場に基づくシミュレーションによるアラインメントまたはミスアラインメント約を理論的に考察した。最初に驚くべきことに,著者らは0のための説得力のある証拠,すなわち,h-BN上のグラフェンの平衡状態における全エネルギー駆動配列を見出した。二因子はNM理論からのこのずれを駆動した。最初,グラフェンは平坦ではなく,長波長の面外波形をh-BN上に発達する。第二に,h-BNはハードではなく,界面モアレ構造を伴う平面収縮/膨張による接触応力を放出した。剛体に平坦とh-BN維持人工的に強制グラフェンによる反復シミュレーション,予想されたように実際にθ_NMに類似した平衡不整合が得られた。滑りシミュレーションはh-BN上のグラフェンの摩擦,本質的に独立した人工凍結状態におけるミスアラインメントの,より現実的な波形,歪変調,整列した状態で増加することを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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炭素とその化合物  ,  薄膜成長技術・装置 
タイトルに関連する用語 (3件):
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