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J-GLOBAL ID：201702244184957921   整理番号：17A0002344

フッ化炭素プラズマエッチングでSiO₂上に形成されたSiOFの解明

Clarification of a SiOF layer formed on SiO₂ under fluorocarbon plasma etching

著者 (5件)： OHYA Y. (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  TOMURA M. (Tokyo Electron Miyagi Ltd., Miyagi, JPN) ,  ISHIKAWA K. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  SEKINE M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN) ,  HORI M. (Nagoya Univ., Aichi, JPN)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 37th  ページ： 9-10  発行年： 2015年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 脂肪族フッ素化合物 ,  *プラズマエッチング ,  酸化ケイ素 ,  フッ化酸素 ,  ケイ素 ,  二次イオン質量分析

分類 (1件)： プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (3件)： フッ化炭素 ,  プラズマエッチング ,  SiO2