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J-GLOBAL ID：201702244231012002   整理番号：17A0414235

高Nbドープと正常PZT薄膜の熱分解の比較【Powered by NICT】

Comparison of the Thermal Degradation of Heavily Nb-Doped and Normal PZT Thin Films

著者 (7件)： Yang Jeong-Suong (LCR Advanced Development Team Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Kang YunSung (LCR Advanced Development Team Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Kang Inyoung (LCR Advanced Development Team Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Lim SeungMo (LCR Advanced Development Team Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Shin Seung-Joo (LCR Advanced Development Team Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Lee JungWon (Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea) ,  Hur Kang Heon (Corporate R&D Institute, Samsung Electro-Mechanics, Suwon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control  (IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control)
巻： 64  号： 3  ページ： 617-622  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0369A  ISSN： 0885-3010  CODEN： ITUCER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニオブをドープしたジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)の分解と二種類のPZT薄膜を検討した。モルフォトロピック相境界近傍の非ドープPZT,二段階PZTおよびNbを多量にドープしたPZT(PNZT)を,RFマグネトロンスパッタリングにより最適条件下でその場堆積させた。全ての2μm厚膜は緻密なペロブスカイト柱状結晶粒構造と自己分極(100)優先配向を有していた。PZT薄膜をSiウエハ上にPt/TiOx_ 底部電極上に堆積し,PNZT薄膜は配向制御の助けを借りてIr/TiW電極であった。マイクロエレクトロメカニカルシステム(MEMS)ジャイロと分解速度に形成されたスパッタPZT膜を異なる温度で比較した。PNZTは熱分解に対して最良の抵抗,とそれに続く二段階PZTであった。高温度で膜の分解に及ぼす酸素空格子点の効果を明らかにするために,光ルミネセンス測定を行った,これは酸素空孔率は重PNZTで最低であったことを確認した。NbドープPZT薄膜は酸素欠乏を抑制し,自己分極と高いインプリントを行った。欠陥分布と高い内部場はPNZT薄膜は高温,MEMSパッケージングのリフロープロセスのような圧電センサはより安定で信頼性のあるものにすることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  圧電センサ ,  厚膜 ,  *ドーピング ,  相境界 ,  柱状晶 ,  *薄膜 ,  高温 ,  *熱分解 ,  リフロソルダリング ,  MEMS ,  最適条件 ,  *ニオブ ,  優先配向
準シソーラス用語： シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (5件)： Nb ,  ドープ ,  PZT ,  薄膜 ,  熱分解