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J-GLOBAL ID：201702244281509874   整理番号：17A1727543

中性子回折によるSiCバルク結晶中の3次元残留応力分布の特性化【Powered by NICT】

Characterization of the three-dimensional residual stress distribution in SiC bulk crystals by neutron diffraction

著者 (10件)： Xie Xuejian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, 250100, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Hu Xiaobo ,  Chen Xiufang ,  Liu Fafu ,  Yang Xianglong ,  Xu Xiangang ,  Wang Hong ,  Li Jian ,  Yu Peng ,  Wang Ruiqi
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 19  号： 43  ページ： 6527-6532  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク結晶中の残留応力の評価は非常に重要である,結晶成長とプロセス技術に関する豊富な情報を提供することができるからである。本論文では,4H-SiCバルク結晶中の残留応力を中性子回折により調べた。Bragg方程式とH ookeの法則を用いて行った詳細な歪と応力の計算。(0004),(11 20)と(1 100)面回折プロファイルを測定した。三方向における歪と応力は10~-4 10~ 3と100 1000MPaのオーダーであることが分かった。さらに,異なる方向における応力分布は異方性である。これら三方向における応力の中で,<1 100>方向における応力は,引張であり,最大値は2953MPaであり,これはこの方向での成長結晶亀裂のハイリスクであることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *回折 ,  結晶成長 ,  亀裂 ,  *三次元 ,  *炭化ケイ素 ,  *残留応力 ,  *応力分布 ,  *中性子回折 ,  異方性 ,  *キャラクタリゼーション ,  引張
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  *バルク結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 金属材料  (HC02020X) ,  溶接部  (WC07100I) ,  機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中性子回折 ,  SiC ,  バルク結晶 ,  3次元 ,  残留応力 ,  分布 ,  特性化