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J-GLOBAL ID：201702244525787450   整理番号：17A0462203

秩序化および無秩序ZnSnN₂の成長

Growth of ordered and disordered ZnSnN₂

著者 (7件)： Makin Robert Allen (Department of Electrical and Computer Engineering, Western Michigan University, Kalamazoo, Michigan 49008-5329) ,  Senabulya Nancy (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109) ,  Mathis James (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109) ,  Feldberg N. (Institut Jean Lamour, Universite de Lorraine, CNRS UMR 7198, Nancy F-54506, France) ,  Miska P. (Institut Jean Lamour, Universite de Lorraine, CNRS UMR 7198, Nancy F-54506, France) ,  Clarke Roy (Department of Physics, University of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109) ,  Durbin Steven M. (Department of Electrical and Computer Engineering, Western Michigan University, Kalamazoo, Michigan 49008-5329)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 2  ページ： 02B116-02B116-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 陽イオン副格子の不規則性を制御する可能性と材料の物理的・電子的性質への影響を調べるため,プラズマ分子線エピタキシ法で一連のZnSnN₂薄膜を成長させた。成長条件(特に,金属と窒素のフラックス比率や基板温度)を変化させて,シンクロトロンX線回折およびin situ反射高速電子回折測定により,六方晶系および単斜晶系の相の存在を確認した。本稿では,材料品質の改善のための継続的な努力の一環として,成長パラメータ空間における初歩的なマッピングと分析とを報告する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *MBE成長 ,  六方晶系 ,  単斜晶系 ,  *パラメータ ,  RHEED ,  X線回折 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *カチオン ,  *副格子 ,  *規則化 ,  基板温度 ,  フラックス【流束】
準シソーラス用語： *プラズマMBE成長 ,  シンクロトロンX線回折

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 秩序化 ,  無秩序 ,  成長