ZHANG Yang について
Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei, CHN について
ZHANG Yang について
Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN について
CHEN Xiaoshuang について
Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN について
HUANG Yan について
Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN について
ZHANG Chong について
China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN について
LI Feng について
China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN について
SHU Haibo について
China Jiliang Univ., Hangzhou, CHN について
Journal of Physical Chemistry C について
水素発生反応 について
単一層 について
バナジウム化合物 について
硫化物 について
底面 について
触媒活性 について
格子欠陥 について
分解反応 について
水素 について
密度汎関数法 について
エネルギー について
金属性 について
半導体 について
硫化モリブデン について
電子構造 について
基底面 について
電極触媒活性 について
固有欠陥 について
水分解 について
水素分子 について
DFT計算 について
生成エネルギー について
金属特性 について
二硫化モリブデン について
電気化学反応 について
金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造 について
化合物の化学熱力学(純物質) について
水素発生反応 について
単層 について
基底面 について
電極触媒活性 について
固有欠陥 について
役割 について