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J-GLOBAL ID：201702244827479355   整理番号：17A1108502

テラヘルツ帯で動作するトランジスタ実現に向けた均一性に優れるグラフェン作製法

Uniform Epitaxial Growth of Graphene for High-Frequency Transistors in Terahertz

著者 (5件)： 三橋史典 (住友電気工業) ,  岡田政也 (住友電気工業) ,  舘野泰範 (住友電気工業) ,  上野昌紀 (住友電気工業) ,  中林隆志 (住友電気工業)
資料名： SEIテクニカルレビュー  (住友電気)
号： 191  ページ： 53-58  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： F0314A  ISSN： 1343-4330  CODEN： SUDEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは,次世代の高速・大容量無線通信用途のデバイス材料として注目されている。我々は,グラフェンをデバイス製造に適用すべく,SiC基板から作製したグラフェン品質の面内分布を改善する新製法の開発を進めてきた。この製法は,C面6H-SiC基板上にSiCスパッタ膜を成膜したウエハを高温で加熱し,グラフェンを作製する製法である。本製法で作製したグラフェンをラマン分光法によるマッピングおよび低エネルギー電子顕微鏡観察で評価した結果,75μm×75μmの領域の95%が同一層数の2層グラフェンで占められている事が分かり,非常に優れた層数均一性を実証した。我々は,層数均一性に優れる本製法が従来のグラフェンを作製する方法に比べテラヘルツ帯で動作するトランジスタ作製に適した有力な製法であると考えている。(著者抄録)

シソーラス用語： *テラヘルツ波 ,  *トランジスタ ,  *均一性 ,  *グラフェン ,  *生産方式 ,  無線伝送 ,  材料 ,  基板 ,  炭化ケイ素 ,  スパッタ蒸着 ,  Raman分光法
準シソーラス用語： SiC基板 ,  低エネルギー電子顕微鏡

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  無線通信一般  (ND08010L)

引用文献 (10件)：

• Novoselov K. S, Geim A. K, Morozov S. V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S. V, Grigorieva I. V, and Firsov A. A, Science 305 666 (2004)
• Novoselov K. S, Geim A. K, Morozov S. V, Jiang D, Zhang Y, Dubonos S. V, Grigorieva I. V, and Firsov A. A, Nature 438 197 (2005)
• Zhang Y, Tan Y-W, Stormer H. L. and Kim P, Nature 438 201 (2005)
• Novoselov K. S, Fal'ko V. I, Colombo L, Gellert P. R, Schwab M. G and Kim K, Nature 490 192 (2012)
• Morozov S. V, Novoselov K. S, Katsnelson M. I, Shedin F, Elias D. C, Jaszczak J. A. and Geim A. K, Phys. Rev. Lett. 100 016602 (2008)

タイトルに関連する用語 (5件)： テラヘルツ ,  トランジスタ ,  均一性 ,  グラフェン ,  作製法