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J-GLOBAL ID：201702244905295020   整理番号：17A1420489

容量-電圧特性に及ぼす極薄高kゲート誘電体ベースのMIS素子の界面トラップの影響【Powered by NICT】

Effect of interface traps for ultra-thin high-k gate dielectric based MIS devices on the capacitance-voltage characteristics

著者 (5件)： Hlali Slah (Laboratoire de Microelectronique et Instrumentation (LR13ES12), Faculte des Sciences de Monastir, Universite de Monastir, Avenue de l’environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Hizem Neila (Laboratoire de Microelectronique et Instrumentation (LR13ES12), Faculte des Sciences de Monastir, Universite de Monastir, Avenue de l’environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Militaru Liviu (Institut des Nanotechnologies de Lyon - site INSA de Lyon, UMR CNRS 5270, Bat. Blaise Pascal, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne Cedex, France) ,  Kalboussi Adel (Laboratoire de Microelectronique et Instrumentation (LR13ES12), Faculte des Sciences de Monastir, Universite de Monastir, Avenue de l’environnement, 5019 Monastir, Tunisia) ,  Souifi Abdelkader (Institut des Nanotechnologies de Lyon - site INSA de Lyon, UMR CNRS 5270, Bat. Blaise Pascal, 7 avenue Jean Capelle, 69621 Villeurbanne Cedex, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 75  ページ： 154-161  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属/絶縁体/半導体ヘテロ構造(MIS)キャパシタの容量-電圧(C-V)特性に及ぼすAl_2O_3/Si界面における状態の影響を数値シミュレーションにより調べ,のないSchrodinger-Poisson方程式を解き,界面状態考慮からの電子放出速度をであった。先進極薄等価酸化膜厚(EOT)を持つMOSデバイス(2.5nmまでは明らかにここで考慮した)の効率的計算と正確な物理学ベース容量モデルは近い将来集積回路IC技術ノードのために導入した。低次元と非常に低い酸化物厚さの界面状態密度の重要性のために,高周波C-VモデルはAl_2O_3/Siとコミュニケーションを界面状態密度トラップの影響及びC-V特性に及ぼすそれらの影響を解釈するために開発した。はこれらの状態は反転領域における跳躍能によって明らかにされた,界面の密度では,p型ドーピング1×10~18cm~ 3の中の1×10~11cm~ 2eV~ 1以上であることを見出した。この挙動はC-V曲線に及ぼす種々のドーピング,温度,周波数とエネルギー準位と,標準SiO_2絶縁体を含むMIS構造と比較した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルミニウム ,  コンデンサ ,  酸化物 ,  MOSFET ,  表面準位 ,  絶縁体 ,  集積回路 ,  *電圧 ,  *ゲート絶縁膜 ,  MIS構造 ,  半導体 ,  *界面
準シソーラス用語： 界面状態密度 ,  数値シミュレーション ,  ヘテロ構造 ,  *界面トラップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Al_2O_3/Si界面 ,  高k ,  金属/絶縁体/半導体(MIS) ,  数値シミュレーション ,  界面状態密度 ,  C-V特性

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電圧特性 ,  極 ,  ゲート誘電体 ,  MIS素子 ,  界面トラップ