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J-GLOBAL ID：201702245021408400   整理番号：17A1273442

統合/金型ゲートバッファによるマルチチップSiCパワーモジュールにおける金型利用と寿命の改善【Powered by NICT】

Improving the die utilization and lifetime in a multi-die SiC power module by means of integrated per-die gate buffers

著者 (3件)： Ewanchuk J. (Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France) ,  Brandelero J. (Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France) ,  Mollov S. (Power Electronic Systems, Mitsubishi Electric Research Centre Europe, Rennes, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ISPSD  ページ： 439-442  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCパワーモジュール内の能動素子の完全利用は基板レイアウトによって課せられた一般的な漂遊誘導経路によって制限される。本論文では,電力ダイ当たりの個々のゲートbulfersを統合するための見通しをパワーモジュールの全損失を低下させるために検討した,金型のセットを横切る良好な熱分布を維持した。電力モジュール内の各金型金型,類似した熱負荷のための誘導経路だけでなく低下した損失を持つため,が類似の源による利用増加を有していた。50kVA,1.2kV,8型原型発電モジュールを用いた,金型bulfersを用いた全体スイッチング損失は25%低減することが分かったが,一方,金型金型から熱分布を大きく改善した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力 ,  スイッチング損失 ,  *炭化ケイ素 ,  熱負荷 ,  発電
準シソーラス用語： 能動素子 ,  *パワーモジュール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  鍛造設備  (WC05030S) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  発振回路  (NC05020Y) ,  成形工程とその装置一般  (YH04030C)

タイトルに関連する用語 (8件)： 統合 ,  金型 ,  ゲート ,  バッファ ,  マルチ ,  SiC ,  パワーモジュール ,  寿命