Kitabayashi Yuya について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Kudo Takuya について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Tsuboi Hidetoshi について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Yamada Tetsuya について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Xu Dechen について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Shibata Masanobu について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Matsumura Daisuke について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Hayashi Yuya について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Syamsul Mohd について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Inaba Masafumi について
Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Hiraiwa Atsushi について
Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
Kawarada Hiroshi について
Faculty of Science and Engineering and Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan について
IEEE Electron Device Letters について
安全性 について
MOSFET について
FET【トランジスタ】 について
チャネル について
酸化物 について
反転層 について
ダイヤモンド について
半導体 について
閾値電圧 について
パワーMOSFET について
水素終端 について
パワーデバイス について
絶縁破壊電圧 について
トランジスタ について
チャネル について
絶縁破壊電圧 について
ダイヤモンド について
MOSFET について