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J-GLOBAL ID：201702245027361708   整理番号：17A0825952

ノーマリオフC 部分的C Oチャネルを達成する2kV絶縁破壊電圧を有するHダイヤモンドMOSFET【Powered by NICT】

Normally-Off C-H Diamond MOSFETs With Partial C-O Channel Achieving 2-kV Breakdown Voltage

著者 (12件)： Kitabayashi Yuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Kudo Takuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Tsuboi Hidetoshi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Yamada Tetsuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Xu Dechen (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Shibata Masanobu (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Matsumura Daisuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Hayashi Yuya (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Syamsul Mohd (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Inaba Masafumi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Hiraiwa Atsushi (Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan) ,  Kawarada Hiroshi (Faculty of Science and Engineering and Institute of Nano-Science and Nano-Engineering, Waseda University, Shinjuku, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 3  ページ： 363-366  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンドは独特の物理的性質,次世代パワーデバイスへの応用のための大きな可能性を示す。水素終端(C-H)ダイヤモンド金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は,しばしばデバイスにおける通常オン動作を有し,C Hチャネルはp型反転層を特徴とするためが,ノーマリオフデバイスである失敗安全性の観点からの電力MOSFETにおける望ましい。は部分的に酸化された(部分的C O)チャネルを用いた水素終端(C-H)ダイヤモンドMOSFETを作製した。作製したMOSFETは 2.5~ 4Vのゲートしきい値電圧V_th室温とノーマリオフ特性で2kV以上の高い絶縁破壊電圧を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 安全性 ,  *MOSFET ,  FET【トランジスタ】 ,  *チャネル ,  酸化物 ,  反転層 ,  *ダイヤモンド ,  半導体
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  パワーMOSFET ,  水素終端 ,  パワーデバイス ,  *絶縁破壊電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： チャネル ,  絶縁破壊電圧 ,  ダイヤモンド ,  MOSFET